반도체 PROCESS
제품명 적용범위 특징
MS-AG 40 Solder Bump Sn/Ag Process(저속도금용) IC 범프 형성에 있어서 최소공차의 범프 두께 및 합금 조성을 제공하여 균일한 Sn/Ag 범프 형성을 할 수 있게 설계된 최적의 도금 프로세스이다.
MS-AG 80 Solder Bump Sn/Ag Process(고속도금용) IC범프 형성에 있어서 최소 공차의 범프 두께 및 합금조성을 제공하여 균일한 Sn/Ag 범프 형성을 할 수 있게 설계된 최적의 도금 프로세스이다.
빠른 생산속도로 높은 생산성을 제공한다. (15ASD)
최소의 가스 발생 및 낮은 유기물의 공석으로 보이드의 형성을 최소화 시킨다.
MSA-2000 Solder Bump Sn/Ag Process 합금 도금용
미세 입자의 피막 구조를 갖는 도금막이 형성된다.
MRW-S1000 Sn/Ag Re-work Stripper
Solder Bump 공정의 Sn/Ag/Cu,Sn/Ag합금 도금 층의 자재 박리제이다.
Cu층에 대한 부식이 없고, 기타 소재의 침식이나 들뜸 없이 박리가 가능하다.
박리 시 Ag/Cu 층의 Smut 발생이 없다.
박리 후 전위차에 의한 재 전착 등이 발생하지 않는다.
MRW-S3000 Sn/Ag Re-work Stripper
MCU-E1000 반도체용 동 엣칭제
약산성의 비불화물 타입의 반도체 Wafer Cu층 엣칭제이다.
소지금속의 Etching을 최대한 억제한다.
표면조도를 균일하게 형성하여 2차 공정에서의 밀착력 향상을 극대화 시킨다.
Black Smut 형성이 없다.
MCU-E2000 반도체용 동 엣칭제
MCU-E3000 반도체용 티타늄동
엣칭제
MAU-E1000 반도체용 Au UBM
엣칭제
Au Bump 공정의 Au UBM 엣칭제이다.
침적방식의 약품으로 가스발생과 슬러지가 적다.
장시간 사용에도 Etch Rate의 변화폭이 낮다.
과열반응 및 흄 발생이 적다.
MAU-S1000 Au Bump Re-work Stripper Au Bump 공정의 Re-work Stripper로 Au/Cu 합금 도금 층의 Au 도금층만 박리한다.
Cu/Al층에 대한 부식이나 smut 발생이 없고, 기타 소재의 침식이나 들뜸 없이 박리 가능하다.
박리 후 전위차에 의한 재 전착 등이 발생하지 않는다
MCH-S3000 Chip Stripper 주석과 니켈, 은 박리제이다.
소재의 손상이 없고 가스발생과 슬러지가 적어 사용이 용이하다.